CN202310825782.1 一种具有自包覆结构的刚玉结合塞隆多孔陶瓷的制备方法

发布者:张永姣发布时间:2026-06-23浏览次数:11

专利号:CN202310825782.1

专利名称:一种具有自包覆结构的刚玉结合塞隆多孔陶瓷的制备方法

申请日:2023/7/6

专利类型:授权发明

支付方式:一次总付

支付标准:30万元

许可期限届满日:2030/12/30

所属分类:制造业

  

项目详情:本发明提供一种具有自包覆结构的刚玉结合塞隆多孔陶瓷的制备方法,利用金属铝生产过程中产生的铝灰和晶体硅切割过程中产生的硅微粉固体废弃物分别作为铝源和硅源,在造孔剂的基础上,利用固相反应烧结法在高温下合成具有自包覆结构的刚玉结合塞隆多孔陶瓷材料,主要包括配料、球磨、压制成型、密闭封装和烧结等步骤。无需添加昂贵的氮化物,极大的减少了成本,同时有利于节能减排。在制备过程中亦无需通入高纯氮气,而是利用空气中的氮气进行氮化,对设备要求较低。原料中的铝在高温下熔化并向外扩散,扩散至试样表面时与氧气发生反应生成较为致密的氧化铝包覆层,一定程度上隔绝了氧气向试样内部的扩散,为铝和硅的氮化提供了条件。

  

联系人:孙聪

电话:83671445

邮箱:dbdxzscq@mail.neu.edu.cn