专利号：CN202210194106.4
专利名称：一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用
申请日：2022/3/1
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：40万元
许可期限届满日：2030/3/1
所属分类：制造业
项目详情：本发明涉及一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用，属于电池材料领域。一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料，所述复合材料是由氮掺杂rGO纳米片和沉积在其表面的磷酸根离子掺杂的SnS纳米片组成，其中，所述掺杂的SnS晶体具有SnS晶体结构，PO43‑嵌入SnS晶格层间，Sn与O、O与P通过共价键键合。本发明使用植酸注入到SnS晶格中，实现SnS本征电子电导率的显著提高，同时有效缓解SnS晶体在钠离子嵌入/脱出时带来的体积膨胀问题。
联系人：孙聪
电话：83671445