专利号：CN202011108701.9
专利名称：双相钠镧铈氧化物氢离子导体及其制备方法
申请日：2020/10/16
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：10万元
许可期限届满日：2029/6/30
所属分类：制造业
项目详情：一种双相钠镧铈氧化物氢离子导体及其制备方法，分子式为Na0.5+xLa0.5‑xCeO3‑δ；方法为：(1)碳酸钠粉体、氧化铈粉体和氧化镧粉体按摩尔比Na:La:Ce＝(0.5+x):(0.5‑x):1的比例混合；(2)以水或无水乙醇为球磨介质，球磨后烘干；(3)压制成型后在1000～1400℃煅烧1～10h，随炉冷却；(4)研磨至粒度200目以下，二次压制成型，加热至1450～1650℃烧结2～10h，随炉冷却。本发明的氢离子导体有与BaCeO3相近的高电导率，具有比CaZrO3更高的氢离子迁移数；本发明的氢离子导体为燃料电池、电解水、合成氨等领域性能的进一步提高奠定了基础。
联系人：孙聪
电话：83671445