专利号：CN201911018585.9
专利名称：铌酸钾基高温质子导体材料及其制备方法
申请日：2019/10/24
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：10万元
许可期限届满日：2029/6/30
所属分类：制造业
项目详情：一种铌酸钾基高温质子导体材料及其制备方法，质子导体材料的分子式为KNb1‑xMxO3‑α，M为In、Sc或Yb；方法包括以下步骤：(1)准备K2CO3粉体、Nb2O5粉体和掺杂金属氧化物粉体为原料；(2)将原料以无水乙醇为介质球磨，然后烘干，过200目筛；(3)在700±5℃条件下焙烧，随炉冷却；(4)用压片机压制成片，等静压压制成坯料；(5)置于二氧化锆刚玉坩埚中，加热至900±5℃后烧结，随炉冷却。本发明的方法在低温即可合成目标产物；质子导体材料在氢气、水蒸气传感器、氢燃料电池、有机物的加氢脱氢、电化学合成氨等方面具有良好应用前景。
联系人：孙聪
电话：83671445