专利号：CN202011109386.1
专利名称：双相钾镧铈氧化物质子导体及其制备方法
申请日：2020/10/16
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：10万元
许可期限届满日：2029/6/30
所属分类：制造业
项目详情：一种双相钾镧铈氧化物质子导体及其制备方法，质子导体的分子式为K0.5+xLa0.5‑xCeO3‑δ；制备方法为：(1)碳酸钾粉体、氧化铈粉体和氧化镧粉体为按摩尔比K:La:Ce＝(0.5+x):(0.5‑x):1的比例混合；(2)混合粉体球磨至粒度400目以下后烘干；(3)压制成型后在1000～1400℃煅烧1～10h，随炉冷却；(4)将煅烧物料研磨至粒度200目以下，二次压制成型，1450～1650℃烧结2～10h，随炉冷却。本发明的K0.5+xLa0.5‑xCeO3‑δ具有与BaCeO3相近的高电导率，具有与CaZrO3相近的高质子迁移数，为燃料电池、电解水、合成氨等领域所需的质子导体材料提供了新的体系与材料。
联系人：孙聪
电话：83671445