专利号：CN201710052913.1
专利名称：一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法
申请日：2017/1/25
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：1万元
许可期限届满日：2029/10/23
所属分类：制造业
项目详情：一种用晶体硅的碳化硅切割废料制备含硅合金的方法，属于二次资源利用的技术领域。具体制备方法为：先将晶体硅碳化硅切割废料进行分选富集，得到Si富集料和SiC富集料，或者对切割废料不进行任何处理，其次根据所需配制的含硅合金准备其他金属；然后，将其他金属和Si富集料或切割废料置于熔炼炉中进行合金熔炼，待熔炼完全后进行扒渣处理；最后，将合金熔体浇入模具中，冷却，得到含硅合金。该方法实现了晶体硅的碳化硅切割废料的高效回收利用，不仅变废为宝，而且减少了环境污染。该方法具有流程短、能耗低、简单易行等优点，易于实现工业化生产。
联系人：孙聪
电话：83671445