专利号：CN201711059532.2
专利名称：一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法
申请日：2017/11/1
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：10万元
许可期限届满日：2029/9/27
所属分类：制造业
项目详情：本发明属于二次资源利用的技术领域，涉及一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法。其解决了对晶体硅切割废料处置的问题，其特征是将晶体硅切割废料、碳源和净化剂按比例称料混合、压制球团、干燥、高温冶炼制得SiC结晶块，再破碎、酸洗、干燥制得高品质碳化硅粉。本发明不仅对原料的利用率高，生产成本低，而且生产的碳化硅纯度高、品质好。
联系人：孙聪
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