专利号：CN201910738681.4
专利名称：一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法
申请日：2019-08-12
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：2万元
许可期限届满日：2029/11/4
所属分类：制造业
项目详情：一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗、水洗后固液分离，获得含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，空冷至常温。本发明的方法解决了切割废料大量堆放污染环境的问题，由于切割废料价格低廉，直接降低了生产微米级二氧化硅的成本，减少了制备时间，提高了生产效率。
联系人：孙聪
电话：83671445