专利号：CN201910738673.X
专利名称：一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法
申请日：2019-08-12
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：2万元
许可期限届满日：2029/12/27
所属分类：制造业
项目详情：一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料酸洗制成除杂切割废料；(2)将除杂切割废料与硅微粉混合均匀，制成混合原料；(3)将混合原料在1500～3000℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，粉尘空冷获得纳米二氧化硅。本发明的方法可以低成本生产高质量的纳米二氧化硅；可有效利用废弃的切割废料。
联系人：孙聪
电话：83671445