专利号：CN202011452837.1
专利名称：高熵合金多孔电极及其制备方法
申请日：2020-12-11
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：30万元
开放许可期限：3年
所属分类：新材料
项目详情：本发明公开了一种高熵合金多孔电极及其制备方法，其中，高熵合金多孔电极的制备方法包括：步骤S10：配制含有多种金属离子和氢离子的混合溶液；步骤S30：以步骤S10中得到的所述混合溶液为电解液，以导电基体作为阴极，在负电位下进行电沉积，所述负电位低于所述氢离子的还原电位，当所述多种金属离子被还原沉积在所述导电基体上时，所述氢离子在所述导电基体的表面同步被还原形成氢气泡，以得到具有多孔结构的高熵合金电极。根据本发明的方法制备所得电极为多孔结构的高熵合金电极，方法简单高效，可用于大规模制备，且具有普适性。该电极具有较大的比表面积，在电解水制氢反应中表现出高效的电催化性能。
联系人：张刚刚
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