专利号：CN201811168892.0
专利名称：一种基于MEMS工艺的多层结构离子源芯片及质谱分析进样系统
申请日：2018-10-08
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：100万元
开放许可期限：16年
所属分类：制造业
项目详情：本发明涉及一种基于MEMS工艺的多层结构离子源芯片，包括底层硅、中间层玻璃、导电硅和顶层玻璃；底层硅上侧设有电极层和碳纳米管；中间层玻璃两侧分别设电极层；顶层玻璃下侧设电极层；底层硅与中间层玻璃结合，中间层玻璃及顶层玻璃分别与导电硅结合。中间层玻璃对应碳纳米管的上方区域为栅网结构，对中间玻璃层下侧电极层和底层硅电极层施加高电压激发碳纳米管产生电子，电子透过中间层玻璃的栅网结构进入该中间层玻璃上方的电离室中，在电离室内与待测气体样品发生碰撞产生离子，离子被设置在该电离室后方的离子提取与聚焦区引出和聚焦并加速。本发明的离子源芯片为“硅‑碳纳米管‑玻璃‑硅‑玻璃”的多层结构，具有体积小重量轻、低功耗、便携化等优点。
联系人：张刚刚
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