专利号：CN201310031510.0
专利名称：一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法
申请日：2013-01-28
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：制造业
项目详情：本发明属于冶金技术领域，特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料，进行酸洗除杂后进行高温真空处理，配入二氧化硅粉料，加入粘结剂，混合均匀后压制成球团并烘干，放入矿热炉或电弧炉内，进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt％的高纯硅，对高纯硅再进行定向凝固，得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝，并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅，实现了资源的高效再生利用。
联系人：张刚刚
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