专利号：CN201510484983.5
专利名称：利用离子液体低温电解SiO2制取高纯硅薄膜的方法
申请日：2015-08-10
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：其他
项目详情：一种利用离子液体低温电解SiO2制取高纯硅薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）准备电解质的原料氟化咪唑离子液体、冰晶石、氢氟酸溶液和二氧化硅；（2）在电解槽内制成电解质，在惰性气体流通和搅拌条件下电解二氧化硅；（3）电解过程中补加二氧化硅；（4）每隔1~2h更换工作电极；（5）将硅膜剥落清洗烘干。本发明的方法相可以在低温下电沉积硅，得到的硅纯度高；为低成本、低污染的太阳能级硅薄膜绿色制备提供技术储备。
联系人：张刚刚
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