专利号：CN201810832397.9
专利名称：一种渗硼二氧化钛纳米管阵列的电化学制备方法
申请日：2018-07-26
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：制造业
项目详情：本发明属于材料实验研究领域，更确切的说，涉及到一种渗硼二氧化钛纳米管的制备电化学实验制备方法。利用阴极预还原与阳极氧化结合技术，在钛金属或者钛合金表面生长出硼掺杂二氧化铁纳米管阵列。与未掺杂硼二氧化铁纳米管阵列相比，本发明腐蚀抗性明显增加，光生载流子浓度提高，实验范围内氧化物阵列掺硼越多性能越显优势。本发明硼均匀掺杂使规则二氧化钛禁带中引入掺杂能级，增加氧化层耐蚀性，降低电子跃迀所需要吸收的光子能量，促进光生电子产生，从而引起可见光的吸收，有良好光催化和灭菌效果，可应用于可见光催化阵解领域与生物灭菌消毒方面。
联系人：张刚刚
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