专利号：CN201711410854.7
专利名称：双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷及其制备方法
申请日：2017-12-23
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：制造业
项目详情：本发明公开一种双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷的制备方法。该闪烁陶瓷的化学组成通式为：(PrxCeyGd1‑x‑yAl)3Ga2O12，0.001≤x≤0.005，0.001≤y≤0.007；其制备方法为：按照化学计量比，将Gd2O3、Ga、Al(NO3)3·9H2O、Pr(NO3)3·6H2O以及Ce(NO3)3·6H2O的粉体原料称量混合，加至酸溶液中溶解，制得金属盐溶液；将沉淀剂滴加进金属盐溶液中，使金属离子完全沉淀析出，经离心、真空抽滤、过滤和干燥，获得闪烁陶瓷前驱体；加入助熔剂，经煅烧制得陶瓷粉体；加入助剂，经干压成型和等静压成型，获得陶瓷素坯；高温烧结，得到具有石榴石结构的闪烁陶瓷；经退火制得Pr3+和Ce3+共掺杂的钆镓铝闪烁陶瓷。本发明双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷具有高光输出快衰减的性能。
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