专利号：CN201910075119.8
专利名称：一种电弧离子源及电弧离子源镀膜方法
申请日：2019/1/25
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：制造业
项目详情：本公开提供了一种电弧离子源及电弧离子源镀膜方法，能够显著提高膜层表面质量，提高靶材利用率，消除大颗粒污染，以提高膜层制备的经济效益。该电弧离子源包括至少两个磁场产生装置、靶材和电信号输出装置，两个磁场产生装置对称设置在靶材的两侧，每个磁场产生装置包括电磁线圈和永磁体，所述电磁线圈位于所述靶材的靶面上方，所述永磁体位于所述靶材的靶面下方，所述电信号输出装置与电磁线圈连接，用于给电磁线圈施加激励电信号，电磁线圈接收到激励电信号后，与永磁体之间产生轴对称且极性相对的耦合磁场，使得靶材的靶面上各个位置的垂直磁场强度相同。
联系人：张刚刚
电话：83671445