专利号：CN201611122907.0
专利名称：一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法
申请日：2016/12/8
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
所属分类：新材料
项目详情：一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极，敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为：1.将基底进行超声、吹干和热处理；2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上；用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上；用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上，用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜，用电子束蒸发镀上TiO2薄膜；用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层，在检测还原性气体时，电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感，吸附气体能力更强。
联系人：成雅剑
电话：83671445