专利号：CN201910925658.6
专利名称：调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置
申请日：2019/9/27
专利类型：授权发明
支付方式：总付额内分期支付
支付标准：50万元
开放许可期限：5年
所属分类：制造业
项目详情：一种调控高温熔盐中电化学沉积硅择优取向生长方法及装置，属于高温熔盐中电化学沉积硅领域。该方法以冶金硅为阳极，阴极材料为阴极，以氟硅酸盐和碱金属卤化物的混合物为熔盐电解质，采用其装置实现密封，并从进气口持续通入惰性气体，从出气口排出惰性气体，保持反应器内正压；升温，构建起高温、常压、无水，隔绝空气的环境；采用其装置对熔盐进行搅拌；电极间施加电压电沉积硅；在电沉积硅时，通过搅动熔盐电解质改变硅沉积电化学过程传质，实现调控高温熔盐中电化学沉积硅膜择优取向生长，甚至得到单晶硅沉积物。并提供了实现搅动熔盐并密封的装置，其实现了高温条件下，常压、无水，隔绝空气的熔盐环境中搅动熔盐的功能，成本低、操作简单。
联系人：成雅剑
电话：83671445