专利号：CN201610786002.7
专利名称：一种硅纳米线、其制备方法及用于制备碳包覆硅纳米线负极材料的用途
申请日：2016/8/31
专利类型：授权发明
支付方式：一次总付
支付标准：10万元
开放许可期限：3年
所属分类：制造业
项目详情：本发明涉及一种硅纳米线、其制备方法及用于制备碳包覆硅纳米线负极材料的用途。本发明制备硅纳米线的方法包括如下步骤：将二氧化硅和氯化钠的混合粉末压制成阴极片；将阴极片进行低温烧结；然后将得到的阴极片固定在铁铬铝丝上作阴极，高纯石墨作阳极，在CaCl2的熔盐体系中，在高纯氩的气氛下进行电解，得到硅纳米线；将适量的乙炔黑与上述硅纳米线进行球磨；将球磨得到的粉料在惰性气氛下烧结，得到碳包覆硅纳米线负极材料。本发明的硅纳米线形貌好，以其作为前驱体制备碳包覆硅纳米线负极材料并组装成电池，电池表现出非常好的电池循环性能，电化学性能稳定，且能量密度高；本发明的制备方法简单，生产成本低，且原料利用率高。
联系人：成雅剑
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